CVD管式爐設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設計生產(chǎn)，CVD系統(tǒng)除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領域。

PECVD系統(tǒng)配置：1.1200度開啟式雙溫區(qū)真空管式爐2.等離子射頻電源3.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)4.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）

CVD管式爐設備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設計生產(chǎn)，CVD系統(tǒng)除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領域。

PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

產(chǎn)品用途：此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結真空淬火退火，快速降溫等工藝實驗。